Solo substrato cristalino de GaN

Name: Solo substrato cristalino de GaN
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-020
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Certificación

CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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Solo substrato cristalino de GaN

Ampliación de imagen : Solo substrato cristalino de GaN

Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015
Número de modelo:	JDCD01-001-020

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	10000pcs/Month

Contacto

Solo substrato cristalino de GaN

descripción

Nombre de producto:	substratos libres de 2 pulgadas de N-GaN	Dimensiones:	50,0 ±0.3mm
Grueso:	400 ± los 30μm	Plano de la orientación:	(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1m m
TTV:	≤ el 10µm	Arco:	≤ los 20μm
Resaltar:	Sustrato monocristalino GaN , oblea gan epi 400um , sustrato monocristalino UKAS

Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo n dopado con Si y cara C de 2 pulgadas Resistividad < 0,05 Ω·cm Dispositivo de potencia/oblea láser

Descripción general
Uno de los métodos clave utilizados para fabricar estos dispositivos es un dopaje ligero de tipo n de GaN con una baja concentración de impurezas residuales del orden de 1015 cm−3 o menos.A pesar de los intensos esfuerzos de investigación, el rendimiento de los dispositivos de potencia basados en GaN sigue siendo insuficiente debido a un proceso de crecimiento epitaxial inmaduro.

Sustratos independientes de N-GaN de 2 pulgadas
	Nivel de producción (PAG)			Rmisoídoh(R)	Ficticio(D)	Nota: (1) 5 puntos: los ángulos de corte incorrecto de 5 posiciones son 0,55 ± 0,15^o (2) 3 puntos: los ángulos de corte incorrecto de las posiciones (2, 4, 5) son 0,55 ± 0,15^o (3) Área utilizable: exclusión de defectos periféricos y macro (agujeros)
	P+	PAG	PAG-
Artículo	GaN-FS-CN-C50-SSP
Dimensiones	50,0 ±0,3 mm
Espesor	400 ± 30 micras
Orientación plana	(1- 100) ±0,1^o_,12,5 ± 1 mm
TTV	≤ 15 micras
ARCO	≤ 20 micras
Resistividad (300K)	≤ 0,02 Ω·cm para tipo N (dopado con Si)
Rugosidad de la superficie de la cara Ga	≤ 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
N rugosidad de la superficie de la cara	0,5 ~1,5 μm (pulido por un lado)
Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M (ángulos mal cortados)	0,55 ± 0,1^o (5 puntos)	0,55± 0,15^o (5 puntos)		0,55 ± 0,15^o (3 puntos)
Densidad de dislocaciones de roscado	≤ 7,5x10⁵cm^-2	≤ 3x10⁶cm^-2
Número y tamaño máximo de agujeros en Ф47 mm en el centro	0		≤ 3 a 1000 micras	≤ 12 a 1500 micras	≤ 20 a 3000 micras
Área utilizable	> 90%			>80%	>70%
Paquete	Empaquetado en una sala limpia en un solo contenedor de obleas

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
P: ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
o es de 7 a 10 días si los productos no están en stock, depende de la cantidad.
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Sí, podemos ofrecer la muestra de forma gratuita, pero no pagamos el costo del flete.
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Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
Paymen> = 5000 USD, 80% T/T por adelantado, saldo antes del envío.

etiqueta:

Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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