Oblea epitaxial de GaN no dopada

Name: Oblea epitaxial de GaN no dopada
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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CHINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certificaciones

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Oblea epitaxial de GaN no dopada

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Datos del producto:

Lugar de origen:	Suzhou China
Nombre de la marca:	GaNova
Certificación:	UKAS/ISO9001:2015

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado:	Envasado al vacío en un entorno de sala limpia de clase 10000, en casetes de 6 piezas o contenedores
Tiempo de entrega:	3-4 días de la semana
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	10000pcs/Month

Contacto

Oblea epitaxial de GaN no dopada

descripción

Dimensiones:	10x10,5 mm²	Grueso:	350 ±25µm
Nombre de producto:	Solo substrato cristalino de GaN	Arco:	- ≤ el 10µm del ARCO del ≤ del 10µm
Densidad macra del defecto:	² 0cm⁻	Área usable:	> el 90% (exclusión del borde)
Resaltar:	Oblea epitaxial GaN dopada ONU , oblea tipo n de cristal único , oblea epitaxial GaN de 10 x 10

10*10,5 mm² C-face Sustrato monocristalino de GaN independiente tipo n no dopado Resistividad < 0,1 Ω·cm Dispositivo de potencia/láser

Descripción general
El sustrato de nitruro de galio (GaN) es un sustrato monocristalino de alta calidad.Está hecho con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se desarrolló originalmente durante muchos años.Las características son alto cristalino, buena uniformidad y calidad superficial superior.Los sustratos de GaN se utilizan para aplicaciones LD (violeta, azul y verde).
Además, el desarrollo ha progresado para la aplicación de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.

10x10,5mm²Sustratos de GaN autónomos
Artículo	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Observaciones: Se utiliza un ángulo de arco circular (R < 2 mm) para distinguir la cara Ga y N.
Dimensiones	10x10,5mm²
Espesor	350 ±25 micras
Orientación	Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35 ±0,15°
Tipo de conducción	tipo N	tipo N	Semiaislante
Resistividad (300K)	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 micras
Arco	- 10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm
Rugosidad de la superficie de la cara Ga	< 0,2 nm (pulido) o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)


Rugosidad de la superficie de la cara N	0,5 ~ 1,5 micras opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)


Densidad de dislocación	Desde 1x10⁵a 3 x 10⁶cm^-2(calculado por CL)*
Densidad de macrodefectos	0cm^-2
Área utilizable	> 90% (exclusión de bordes)
Paquete	Empaquetado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en un contenedor de 6 PCS, bajo una atmósfera de nitrógeno

*Estándares nacionales de China (GB/T32282-2015)

Oblea epitaxial de GaN no dopada 1

Sobre nosotros

Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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Generalmente es de 3 a 5 días si los productos están en stock.
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Pago <=5000USD, 100% por adelantado.
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Persona de Contacto: Xiwen Bai (Ciel)

Teléfono: +8613372109561

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