Solicitar una cotización |

Inicio Productospatterned sapphire substrates oem fabricante en línea

Todos los productos

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Oblea sic epitaxial
(39)

Oblea Epi GaAs
(15)

Sustratos de diamante CVD
(15)

Sistema de recocido térmico rápido
(2)

Probador de sensores de efecto Hall
(3)

Oblea del nitruro de aluminio
(21)

Microprocesador del diodo láser
(10)

Cristal del carburo de silicio
(12)

Oblea Ga2O3
(13)

oblea de silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelada
(10)

Tenedor de la oblea del
(1)

Cortadora de obleas
(5)

Certificación

Estoy en línea para chatear ahora

patterned sapphire substrates oem fabricación en línea

(1)

UKAS modeló a Sapphire Substrates Flat Edge Angle
Contacto

2022-10-09 10:45:47

Page 1 of 1

Sobre

GaN Epitaxial Wafer: el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI; El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm; Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial: Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um; borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um; CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

DEJA UN MENSAJE