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3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Leer más
2022-10-09 09:54:10
comprar Sustratos de diamante CVD de 3,515 g/cm3 Transmitancia de luz 225 nm al infrarrojo lejano en línea fabricante

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3.515g/cm3 CVD Diamond Substrates Light Transmittance 225nm To Far Infrared 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Leer más
2022-09-27 17:12:16
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CVD Diamond Substrates Thermal conductivity 300K,Wm·K 1000~2000 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Leer más
2022-09-27 17:13:12
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Hole Mobility 3800 cm2/V·S Electronic Grade Single Crystal Diamond Dielectric Constant 5.5 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Leer más
2022-09-27 17:12:44
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70~120 single Crystal Electronic Grade Single Crystal Diamond 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Leer más
2022-09-27 17:13:37
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2022-09-27 17:14:46
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2022-09-27 17:14:11
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2022-09-27 17:14:25
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JDCD05-001-004 3*3mm2*0.5mm electronic grade single crystal diamond,N content Leer más
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GaN Epitaxial Wafer

el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI

El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm

Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial

Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um

borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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