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sistema de recocido termal rápido de 150m m con tres gases de proceso de los sistemas
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2024-11-18 17:56:05

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Sobre

GaN Epitaxial Wafer: el FE de la cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C dopó el tipo situación libre del SI; El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm; Sustratos SI-GaN independientes de 2 pulgadas

Oblea sic epitaxial: Oblea epitaxial de biselado SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um± 25,0 um; borde epitaxial de la oblea de la oblea de SiC de la forma cristalina 4H que bisela 350.0um ± 25.0um; CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

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