Display de embalaje para envío de Wafer GaN de Nitruro de Galo
Wafer epitaxial SiC de calidad de China.
El objetivo de la presente Decisión es garantizar la aplicación de las disposiciones del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 y del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 del Parlamento Europeo y del Consejo, por lo que se refiere a la protección del medio ambiente.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricante de calidad de China.
Podemos suministrar:
Se ha establecido que el uso de la sustancia activa en el producto no debe ser considerado como un riesgo para la salud humana.
En el caso de las plaquetas epitaxiales de SiC: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Se utilizará para la fabricación de las gafas de acero.
Bienvenido a visitar nuestro sitio web oficial: http://www.epi-wafers
El objetivo de la presente Decisión es garantizar la aplicación de las disposiciones del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 y del Reglamento (CE) n.o 1907/2006 del Parlamento Europeo y del Consejo, por lo que se refiere a la protección del medio ambiente.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricante de calidad de China.
Podemos suministrar:
Se ha establecido que el uso de la sustancia activa en el producto no debe ser considerado como un riesgo para la salud humana.
En el caso de las plaquetas epitaxiales de SiC: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Se utilizará para la fabricación de las gafas de acero.
Bienvenido a visitar nuestro sitio web oficial: http://www.epi-wafers
Oblea sic epitaxial
Obleas epitaxiales del carburo de silicio
Tipo oblea sic epitaxial de N
Cara sic epitaxial de la oblea C
Sustrato de GaN
-
LED azul GaN en oblea de silicio Oblea epitaxial láser azul GaN
Contactar ahora -
GaN láser violeta en el silicio 2 pulgadas GaN en el silicio HEMT Epi oblea UV LD Epi oblea
Contactar ahora -
4 pulgadas de 4H-SiC Substrato P-Nivel SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistencia≥1E9Ω·Cm para microondas de potencia
Contactar ahora -
4 pulgadas 4H-SiC Substrato de nivel P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividad≥1E5Ω·cm Para microondas de potencia
Contactar ahora -
Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm
Contactar ahora
Vídeos relacionados
¿Sabes distinguir la parte delantera y la parte trasera de las obleas GaN?
Sustrato de GaN
July 19, 2024
625um a 675um 4 pulgadas de LED azul nitruro de galio GaN Wafer epitaxial en zafiro SSP zafiro plano
Exposición
October 29, 2024
Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN
Epiwafer con GaN
November 18, 2024
