Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN

Epiwafer con GaN

November 18, 2024

Category Connection: GaN Epitaxial Wafer

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Wafer epitaxial GaN de calidad de China.
El uso de la sustancia de origen vegetal en la producción de la sustancia de origen vegetal no debe tener un efecto secundario en la producción de la sustancia de origen vegetal.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricante de calidad de China.
Podemos suministrar:
Se ha establecido que el uso de la sustancia activa en el producto no debe ser considerado como un riesgo para la salud humana.
En el caso de las plaquetas epitaxiales de SiC: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Se utilizará para la fabricación de las gafas de acero.
Bienvenido a visitar nuestro sitio web oficial: http://www.epi-wafers.com

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#Oblea de semiconductor del nitruro del galio #Situación libre GaN Substrates #LED azul GaN Epitaxial Wafer

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Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C
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Grosor de oblea epitaxial de 5 x 10 mm2 M Face GaN 325um 375um
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GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
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5*10mm2 SP-Face sin dopado de tipo N, GaN de pie libre, sustrato de cristal único 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistencia 0,05 Ω·cm
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