Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN
Wafer epitaxial GaN de calidad de China.
El uso de la sustancia de origen vegetal en la producción de la sustancia de origen vegetal no debe tener un efecto secundario en la producción de la sustancia de origen vegetal.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. fabricante de calidad de China.
Podemos suministrar:
Se ha establecido que el uso de la sustancia activa en el producto no debe ser considerado como un riesgo para la salud humana.
En el caso de las plaquetas epitaxiales de SiC: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
Se utilizará para la fabricación de las gafas de acero.
Bienvenido a visitar nuestro sitio web oficial: http://www.epi-wafers.com
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GaN Epitaxial Wafer
Oblea de semiconductor del nitruro del galio
Situación libre GaN Substrates
LED azul GaN Epitaxial Wafer
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GaN dopado con UID tipo N de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP>0,5 Ω cm LED, láser, oblea epitaxial PIN
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Oblea epitaxial de GaN de 375 um Substratos independientes de U-GaN SI-GaN
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